第一百三十一章 光刻机技术路线

　　1999年的胡正明无法理解为什么周新要做光刻机，在他看来这玩意技术含量非常高，收益却没有那么高。

　　光刻机在未来对华国来说至关重要，关系到他们先进制程的芯片能否顺利制造出来，能否在Ai时代获得足够的算力。

　　1999年算是经济全球化的黄金时期，大概是黄金时期的初期，没有哪个国家会想要把半导体供应链上下游全部自己做。

　　现在As

　　但是具体光刻机是怎么作业的，很多人并不是那么清楚。简单来说先在晶圆表面涂上一层光敏性的光刻胶，这种光刻胶会在紫外光照射下发生化学反应，然后改变它的溶解性。

　　国内光刻机被卡脖子，光刻胶同样被卡脖子。

　　然后使用光掩膜，一个上面有着细微图案的透明载体，细微图案代表了集成电路中的不同元件和互连。光掩膜被放置在光刻机的光源和硅晶圆之间。

　　光刻机中的光源（krf或者Arf）照射到光掩膜上。

　　光通过图案的开放区域，被阻挡的部分与图案相对应。

　　然后，光通过投影光学系统，该系统将图案缩放并聚焦到硅晶圆上涂有光刻胶的表面。

　　经过曝光后，光刻胶中的光敏材料发生化学变化。

　　在阳性光刻胶中，曝光区域变得更容易溶解；在阴性光刻胶中，曝光区域变得更不容易溶解。

　　将硅晶圆浸入显影液中，溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。这样，光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。

　　光刻胶图案形成后，通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。

　　在没有线上百科，不对，现在已经有Quora百科了，总之能够准确说出Arf和krf证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。

　　毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有Arf这条技术路线。

　　林本坚说：“Arf的波长是193nm，而krf光源的波长是248nm，较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”

　　周新问：“但是Arf他在具体处理更小的制程节点的时候，会出现更多的线性波动和不规则性。

　　虽然Arf波长更短，但是它的不可控性更高。

　　这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好，AsmL也好，在尝试过Arf之后，都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”

　　周新话音刚落，林本坚脸色大变，周新知道Arf和krf，这他能理解。

　　因为这些都是发表在公开期刊上的内容，但凡对光刻机感兴趣的人，都有机会阅读到。

　　但是周新能够准确说出不往Arf方向投入的原因，即便从业人员，都没有办法知道的内容。